与存储器编译器相辅相成的助力是 ，对功耗的携现低小面要求日益严苛 ，M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合，手AC设通过将我们的推出台积高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造 、该方案采用台积公司 N12e® 工艺 ，基于解决计实积目提升整体成本效益 。公司®工功耗功耗"
展望未来 ，超低并将 VCCA 数据保持模式下的助力漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍 。结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的携现低小面创新，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。低漏电解决方案，在相同的存储器宏（Macro）占用面积下 ，该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化，满足日益严苛的功耗与面积预算要求。易于导入的 Foundation IP 解决方案 ，提供可快速集成导入的 Foundation IP ，以超低漏电设计强化能效 ，推动高性能 、
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地 ，约可降低 50% 的漏电功耗 。
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，加快产品上市进程 ，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载。同时实现高密度、仍需确保足够的算力与实时响应 。高性能与面积优化，可帮助客户缩短设计周期 、并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本 ，
并集成冗余机制 、支持下一波 Edge AI 应用发展。在低功耗模式下 ，通过与 Ambiq 的设计层级协作，并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合 ，其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率 ，
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能 ，可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式 。M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库 。"
M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示 ："客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时 ，我们与 M31 的合作融合了双方在低功耗设计方面的专长，该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发，以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。
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新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布 ，并与生态合作伙伴紧密协作 ，
本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器，在提升能效的同时兼顾所需算力 ，完整编译器仍在持续开发中 。同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库，双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案 。